La hafnia (HfO₂) es una cerámica refractaria de alta k y alto punto de fusión, utilizada principalmente en aplicaciones de vanguardia donde su combinación de estabilidad térmica, sección transversal de absorción de neutrones y banda prohibida amplia es insustituible.
Sirve como dieléctrico de compuerta en semiconductores avanzados (sustituyendo al SiO₂ en nodos sub-45 nm), como componente refractario de grabado por plasma, y en aplicaciones nucleares como material de barra de control y absorbedor de neutrones. Al fundirse a ~2750 °C con excelente estabilidad química, la hafnia sobrevive en ambientes que funden o corroen a la mayoría de las demás cerámicas.