ฮาฟเนีย (HfO₂) คือเซรามิกทนไฟค่า-k-สูง จุดหลอมเหลวสูง ใช้ส่วนใหญ่ในงานขั้นสูงที่การรวมความเสถียรความร้อน พื้นที่ตัดหน้าจับนิวตรอน และช่องว่างแบนด์กว้างของมันไม่สามารถทดแทนได้ มันทำหน้าที่เป็นไดอิเล็กตริกเกทในเซมิคอนดักเตอร์ขั้นสูง (แทน SiO₂ ที่โหนดใต้ 45 nm) ชิ้นส่วนห้องกัดกร่อนพลาสมา และในงานนิวเคลียร์เป็นวัสดุแท่งควบคุมและตัวดูดซับนิวตรอน หลอมที่ ~2750 °C ด้วยความเสถียรทางเคมีดีเยี่ยม ฮาฟเนียรอดพ้นในสภาพหลอมเหลวหรือกัดกร่อนที่ทำลายเซรามิกอื่นส่วนใหญ่
ฮาฟเนีย (HfO₂) คือเซรามิกทนไฟค่า-k-สูง จุดหลอมเหลวสูง ใช้ส่วนใหญ่ในงานขั้นสูงที่การรวมความเสถียรความร้อน พื้นที่ตัดหน้าจับนิวตรอน และช่องว่างแบนด์กว้างของมันไม่สามารถทดแทนได้
มันทำหน้าที่เป็นไดอิเล็กตริกเกทในเซมิคอนดักเตอร์ขั้นสูง (แทน SiO₂ ที่โหนดใต้ 45 nm) ชิ้นส่วนห้องกัดกร่อนพลาสมา และในงานนิวเคลียร์เป็นวัสดุแท่งควบคุมและตัวดูดซับนิวตรอน หลอมที่ ~2750 °C ด้วยความเสถียรทางเคมีดีเยี่ยม ฮาฟเนียรอดพ้นในสภาพหลอมเหลวหรือกัดกร่อนที่ทำลายเซรามิกอื่นส่วนใหญ่
Indicative ranges — confirm grade and test conditions before design commitment.
| Property | Indicative Value |
|---|---|
| องค์ประกอบ | Hafnium dioxide |
| ความหนาแน่น | 9.68 g/cm3 |
| ความแข็งวิกเกอร์ส | 1200-1400 HV |
| ความแรงดัด | 100-200 MPa |
| ความเหนียวต่อการแตกหัก | 2-3 MPa.m1/2 |
| อุณหภูมิการใช้งานสูงสุด | 2000 C |
| การนำความร้อน | 1.5-2 W/m.K |
| การขยายตัวด้วยความร้อน (20-1000 C) | 5.6 x10-6/K |
