Háfnia (HfO₂) é uma cerâmica refratária de alto-k e alto ponto de fusão, usada principalmente em aplicações de ponta onde sua combinação de estabilidade térmica, seção de choque de absorção de nêutrons e grande bandgap é insubstituível.
Ela atua como dielétrico de porta em semicondutores avançados (substituindo SiO₂ em nós abaixo de 45 nm), como componente refratário de câmara de gravação a plasma e em aplicações nucleares como material de barra de controle e absorvedor de nêutrons. Fundindo a ~2750 °C com excelente estabilidade química, a háfnia sobrevive a ambientes que fundem ou corroem a maioria das outras cerâmicas.